/ЕНВ/ Южнокорейская исследовательская группа нашла способ увеличить объем памяти чипов памяти в 1000 раз, одновременно увеличивая возможность использования 0,5 нм технологии, объявило Министерство науки и информационных технологий в четверг.
Профессор энергетического и химического машиностроения Национального института науки и технологий Ульсана Ли Чжун Хи и его команда опубликовали отчет об открытии для международного академического журнала Science, завоевав внимание коллег и полупроводниковой промышленности.
Последнее открытие команды UNIST, финансируемое Samsung Science and Technology Foundation, позволит производителям микросхем производить меньшие чипы или увеличить емкость хранения данных в 1000 раз, применяя новое физическое явление.
Ли нашел процесс, который мог бы управлять отдельными атомами в полупроводниковых материалах и обеспечить прорыв для предела дальнейшего увеличения хранения в микросхемах и уменьшения размеров чиповых доменов.
Домен относится к группе тысяч атомов, которые путешествуют вместе, чтобы хранить данные в форме двоичных чисел или сигналов.
Из-за характеристик домена было сложно уменьшить технологию производственного процесса с нынешнего уровня 10 нм для микросхем памяти при сохранении емкости хранилища.
Корейская команда обнаружила, что, добавив каплю электрического заряда к полупроводниковому материалу, известному как сегнетоэлектрический оксид гафния или HfO2, можно контролировать четыре отдельных атома для хранения 1 бита данных.
При правильном применении модель флэш-памяти может хранить 500 терабит на квадратный сантиметр, что в 1000 раз больше объема памяти, чем имеющиеся в настоящее время чипы флэш-памяти.
"Технология, позволяющая хранить данные в отдельных атомах, - это технология хранения высшего уровня на Земле, которая не разделяет атомы, - сказал Ли. - Ожидается, что технология поможет ускорить усилия по дальнейшему сокращению размеров полупроводников".
Новости в Телеграм
